Author Affiliations
Abstract
1 Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215123, China
2 School of Physical Science and Technology, ShanghaiTech University, Shanghai 201210, China
3 Shanghai Advanced Research Institute, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201210, China
4 University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China
A new kind of step-flow growth mode is proposed, which adopts sidewall as step source on patterned GaN substrate. The terrace width of steps originated from the sidewall was found to change with the growth temperature and ammonia flux. The growth mechanism is explained and simulated based on step motion model. This work helps better understand the behaviors of step advancement and puts forward a method of precisely modulating atomic steps.
step-flow growth GaN terrace width step motion Journal of Semiconductors
2024, 45(2): 022501
光子学报
2022, 51(12): 1212002
光子学报
2022, 51(12): 1212001
1 北京跟踪与通信技术研究所,北京 100094
2 中国科学院西安光学精密机械研究所,陕西 西安 710119
3 青岛海洋科学与技术试点国家实验室,山东 青岛 266237
针对现有高速电视交会测量火箭漂移量受外界环境影响大和测量数据不能实时获取等问题,提出了基于激光雷达的火箭实时起飞漂移量主动测量方法。首先将激光雷达通过安装台安装在二维精密转台,在火箭发射过程中,二维精密转台带动激光雷达持续高精度跟踪扫描火箭的目标点位置,获取目标点位置对应的激光点云数据。接着,数据处理系统接收激光点云数据,拟合每一帧数据的椭圆曲线及其圆心位置,以火箭静止时椭圆圆心位置为基准位置,计算每一帧数据的椭圆圆心位置与基准位置的相对差值,确定火箭在起飞阶段的实时漂移量。最后,通过火箭发射试验验证文中提出的测量系统及测量方法,试验结果表明:在有环境干扰条件下,实时漂移量测量精度可达到3.1 cm,是目前火箭漂移量测量中精度最高的测量方法,同时可保证数据的实时性。为火箭发射的安控台提供了实时判别数据,保证了发射过程的安全。
激光雷达 火箭漂移量 曲线拟合 测量精度 lidar rocket drift curve fitting measurement accuracy 红外与激光工程
2022, 51(7): 20210636
1 中国科学技术大学 纳米技术与纳米仿生学院, 合肥 230026
2 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 纳米器件与应用重点实验室, 江苏 苏州 215123
氮化镓(GaN)基近紫外激光器(UVA LD,320~400nm)在紫外固化、3D打印以及医疗等领域具有广泛应用。文章首先概述了GaN基UVA LD的国内外研究现状与关键技术挑战,然后分析了如何从外延生长与结构设计的角度,解决AlGaN的应力调控、高效p型掺杂与量子阱中极化电场的抑制等关键问题,以期为进一步实现高功率、低阈值、长寿命GaN基UVA LD的外延生长提供参考。
近紫外激光器 氮化镓 应力调控 p型掺杂 极化电场 UVA LD GaN stress management ptype doping polarization effect
1 北京跟踪与通信技术研究所,北京 100094
2 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林 长春 130033
3 中国科学院西安光学精密机械研究所,陕西 西安 710119
红外探测器的非均匀性问题直接影响红外成像质量和测量精度。地基红外辐射测量系统对远距离飞行目标进行成像时往往不能占满全靶面区域。为提高图像质量,提出了一种基于定标的非均匀性分区域校正算法。以靶面大小为640×512的制冷型中波红外探测器为实验对象,基于黑体定标的两点校正法,采用全靶面校正算法及本文算法进行了验证。结果表明,当成像区域小于全靶面的1/3时,分区域非均匀性校正后非均匀性误差低于0.002%。与全靶面非均匀性校正算法相比,此校正算法使非均匀度进一步降低了30%至75%不等,非均匀性误差的下降率大于30%。采用本文算法后,各区域的非均匀度进一步下降,校正目视效果进一步提高。因此该校正方法具有一定的工程应用价值。
红外图像 地基红外辐射测量 非均匀性校正 辐射定标 infrared detector ground-based infrared radiation measurement nonuniformity correction radiometric calibration
1 武汉高德红外股份有限公司,湖北 武汉 430000
2 中国人民解放军 96901部队,湖南 怀化 418000
随着技术发展,现代化战争对新型**提出了更高的要求,高超声速飞行器的发展也备受关注,红外成像制导在高超声速飞行器的末制导领域中占有重要地位。红外成像设备易受到背景辐射和窗口热辐射带来的干扰,产生的背景噪声易造成图像饱和。通过试验对比中、长波热像仪对高温物体、太阳、云层、海面、干扰弹以及转动、高速、高动态条件下的成像效果,并且试验对比尖晶石、氧化钇、氧化锆以及硫化锌材料自身热辐射分别对中、长波热像仪成像的影响,通过测试得出各窗口在高温下透过率的相对衰减率。对比分析得出长波热像仪在抗干扰等方面占有优势,硫化锌材料具有低辐射、高透过率、以及耐压性能好等优势。中、长波对比试验对于工作波段选择以及窗口材料选择提供了参考与支持,对后续中-长波双色系统设计研究具有参考价值。
高超声速 波段选择 光学窗口 热辐射 硫化锌 hypersonic waveband selection optical windows thermal radiation zinc sulfide 红外与激光工程
2022, 51(4): 20220161
Lingrong Jiang 1,2,3Jianping Liu 1,2,3,*Lei Hu 1,2,3Liqun Zhang 1,3[ ... ]Hui Yang 1,2,3
Author Affiliations
Abstract
1 Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215123, China
2 School of Nano-tech and Nano-bionics, University of Science and Technology of China, Hefei 230026, China
3 Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215123, China
4 Nano Science and Technology Institute, University of Science and Technology of China, Hefei 230026, China
Absorption induced by activated magnesium (Mg) in a p-type layer contributes considerable optical internal loss in GaN-based laser diodes (LDs). An LD structure with a distributed polarization doping (DPD) p-cladding layer (CL) without intentional Mg doping was designed and fabricated. The influence of the anti-waveguide structure on optical confinement was studied by optical simulation. The threshold current density, slope efficiency of LDs with DPD p-CL, and Mg-doped CL, respectively, were compared. It was found that LDs with DPD p-CL showed lower threshold current density but reduced slope efficiency, which were caused by decreasing internal loss and hole injection, respectively.
polarization doping internal loss GaN laser diode Chinese Optics Letters
2021, 19(12): 121404